半导体硅片回收的化学清洗技术
　　硅片回收的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片回收表面沾污大致可分在三类：
　　A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。
　　B.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2μm颗粒。
　　C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片回收表面金属杂质沾污有两大类：
　　a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片回收表面。b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。
　　a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片回收表面。b.用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，
　　例如：⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例GoldfingerMach2清洗系统）。⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）。⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。
　　二.半导体硅片回收RCA清洗技术传统的RCA清洗技术：
　　所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序：SC-1→DHF→SC-21.SC-1清洗去除颗粒：⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵去除颗粒的原理：硅片回收表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片回收表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。
　　①自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。
　　②SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。
　　③Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。
　　④NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。
　　⑤若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。
　　⑥随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。
　　⑦颗粒去除率与硅片回收表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。
　　⑧超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除≥0.4μm颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除≥0.2μm颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。
　　⑨在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
　　⑶.去除金属杂质的原理：
　　①由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片回收表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。
　　②由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。
　　③Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有时会附着在自然氧化膜上。
　　④实验结果：a.据报道如表面Fe浓度分别是1011、1012、1013原子/cm2三种硅片回收放在SC-1液中清洗后，三种硅片Fe浓度均变成1010原子/cm2。若放进被Fe污染的SC-1清洗液中清洗后，结果浓度均变成1013/cm2。b.用Fe浓度为1ppb的SC-1液，不断变化温度，清洗后硅片表面的Fe浓度随清洗时间延长而升高。对应于某温度洗1000秒后，Fe浓度可上升到恒定值达1012~4×1012原子/cm2。将表面Fe浓度为1012原子/cm2硅片，放在浓度为1ppb的SC-1液中清洗，表面Fe浓度随清洗时间延长而下降，对应于某一温度的SC-1液洗1000秒后，可下降到恒定值达4×1010~6×1010原子/cm2。这一浓度值随清洗温度的升高而升高。HPM=HCL+H2O2+D1.H2O1：1：6去金属离子Al、Fe、Ni、Na等如再结合使用双面檫